基本信息:
- 专利标题： 半導体装置および半導体装置の製造方法
- 申请号：JP2017005471 申请日：2017-01-16
- 公开(公告)号：JP6853977B2 公开(公告)日：2021-04-07
- 发明人： 大瀬 直之 , 小林 勇介 , 原田 信介 , 大西 泰彦
- 申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区霞が関1−3−1
- 专利权人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所,富士電機株式会社
- 当前专利权人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所,富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区霞が関1−3−1
- 代理人： 酒井 昭徳
- 主分类号： H01L29/12
- IPC分类号： H01L29/12 ; H01L21/336 ; H01L29/78
公开/授权文献:
- JP2018116986A 半導体装置および半導体装置の製造方法 公开/授权日：2018-07-26