专利号JP2018558767 | 磁気トンネル接合

专利标题：磁気トンネル接合
申请号：JP2018558767 申请日：2017-03-03
公开(公告)号：JP6718983B2 公开(公告)日：2020-07-08
发明人：チェン,ウェイ , クラ,ヴィトルド , シディック,マンザール , ラマラジャン,スレシュ , ハームズ,ジョナサンディー.
申请人：マイクロンテクノロジー,インク.
申请人地址：アメリカ合衆国,アイダホ州 83716−9632,ボイズ,サウスフェデラルウェイ 8000
专利权人：マイクロンテクノロジー,インク.
当前专利权人：マイクロンテクノロジー,インク.
当前专利权人地址：アメリカ合衆国,アイダホ州 83716−9632,ボイズ,サウスフェデラルウェイ 8000
代理人：大菅義之; 野村泰久; 青木宏義; 天田昌行
优先权： US15/154,033 2016-05-13
国际申请： US2017020734 JP 2017-03-03
国际公布： WO2017196436 JP 2017-11-16
主分类号： H01L27/105
IPC分类号： H01L27/105 ; H01L43/08 ; H01L29/82 ; H01F10/16 ; H01F10/14 ; H01F10/30 ; H01F10/32 ; H01L21/8239

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
--------H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
----------H01L27/04	..其衬底为半导体的
------------H01L27/06	...在非重复结构中包括有多个单个组件的
--------------H01L27/105	....包含场效应组件的

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