专利号JP2017062270 | マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置

专利标题：マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
专利标题（英）：JP6283438B2 - Microwave radiation antenna, a microwave plasma source and a plasma processing apparatus
申请号：JP2017062270 申请日：2017-03-28
公开(公告)号：JP6283438B2 公开(公告)日：2018-02-21
发明人：池田太郎 , 小松智仁 , 河西繁 , 宮下大幸 , 長田勇輝 , 谷原聡 , 藤野豊
申请人：東京エレクトロン株式会社
申请人地址：東京都港区赤坂五丁目3番1号
专利权人：東京エレクトロン株式会社
当前专利权人：東京エレクトロン株式会社
当前专利权人地址：東京都港区赤坂五丁目3番1号
代理人：高山宏志
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/31 ; H05H1/46

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀
--------------------H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀

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