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1. 发明专利

JP6144902B2 マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP6144902B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2012269227
申请日：2012-12-10
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 小松智仁 , 河西繁 , 宮下大幸 , 長田勇輝 , 谷原聡 , 藤野豊
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32201

2. 发明专利

JP2016173924A チューナおよびマイクロ波プラズマ源审中-公开
标题翻译：调谐器和微波等离子体源
公开(公告)号：JP2016173924A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015053080
申请日：2015-03-17
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：宮下大幸 , 長田勇輝
IPC分类号： H01L21/3065 , H01P5/02 , H01P5/04 , H05H1/46
摘要：【課題】スラグ移動軸が細くても必要な整合範囲を確保することができるチューナおよびそのようなチューナを有するマイクロ波プラズマ源を提供する。【解決手段】給電部64を有し、第1外側導体61と第1内側導体62からなる同軸伝送路を構成するとともに、第1外側導体61と第1内側導体62との間を移動する第1スラグ63を有し、かつ第1内側導体62の内部に設けられた、前記第1スラグを移動させる第1スラグ移動軸65を有する第1スラグ移動部51と、平面アンテナ101へマイクロ波を出力する出力端を有し、第2外側導体71と第2内側導体72からなる同軸伝送路を構成するとともに、第2外側導体71と第2内側導体72との間を移動する第2スラグ73を有し、かつ第2内側導体72の内部に設けられた第2スラグ移動軸75を有する第2スラグ移動部52とを具備し、第1スラグ移動部51および第2スラグ移動部52のスラグ可動範囲がいずれもマイクロ波の1/2波長の長さである。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够确保所需匹配范围的调谐器，即使块状移动轴较薄，并且提供具有这种调谐器的微波等离子体源。解调器：调谐器包括：第一块状移动部分51，其具有电源部64，构成由第一外部导体61和第一内部导体62构成的同轴传输路径并且在第一外部导体61和第一内部导体62之间移动的第一块63，以及第一块状移动轴65 设置在第一内部导体62中，并且具有用于移动第一块的第一块状移动轴65和具有用于向平面天线101输出微波的输出端的第二块73，并且构成由第二内部导体62构成的同轴传输路径外部导体71和第二内部导体72，并且在第二外部导体71和第二内部导体72之间移动，并且包括具有第二块体m 设置在第二内导体72中的移动轴75.第一块移动部51和第二块移动部52的块可移动范围是微波的1/2波长。图3

3. 发明专利

JP5823399B2 マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置有权
标题翻译：微波导入机构，微波等离子体源和微波等离子体处理装置
公开(公告)号：JP5823399B2
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：JP2012532931
申请日：2011-08-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 長田勇輝 , 河西繁 , 宮下大幸
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H01P5/04 , H05H1/46
CPC分类号： H01J23/005 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/32256 , H05H1/46 , H05H2001/463

4. 发明专利

JP2020187893A 電界センサ、表面波プラズマ源、および表面波プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020187893A
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2019090821
申请日：2019-05-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：森淳 , 長田勇輝 , 中込淳 , 播磨喜之
IPC分类号： H05H1/00 , H01L21/3065 , C23C16/52 , H05H1/46
摘要：【課題】表面波プラズマ源において、ノイズ等の影響を抑制して安定してマイクロ波の電界を検出することができる電界センサ、ならびにそれを用いた表面波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】同軸伝送路の内部導体となり、先端がマイクロ波透過窓110bの裏面に常に接触するように構成されたプローブ141と、プローブ141の外側に設けられ、同軸伝送路の外側導体となり、先端が平面スロットアンテナ81の裏面に接触するように構成された筒状をなすプローブガイド142と、プローブ141とプローブガイド142との間に設けられた絶縁部材143と、プローブガイド142を、その先端が平面スロットアンテナ81に常に接触するように付勢する予圧スプリング144と、信号を取り出す同軸構造の信号ケーブルを接続するコネクタ145とを有する。【選択図】図8

5. 发明专利

JP6010406B2 マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置有权
标题翻译：微波辐射机构，微波等离子体源和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：JP6010406B2
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：JP2012204568
申请日：2012-09-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 宮下大幸 , 長田勇輝 , 藤野豊 , 小松智仁
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H01J37/32192 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463

6. 发明专利

JP5836144B2 マイクロ波放射機構および表面波プラズマ処理装置有权
标题翻译：微波辐射机构和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：JP5836144B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2012018193
申请日：2012-01-31
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 長田勇輝
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32027 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01L21/3065 , H05H2001/4615

7. 发明专利

JP5698563B2 表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置有权
标题翻译：表面波等离子体产生天线和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：JP5698563B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2011045413
申请日：2011-03-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 河西繁 , 長田勇輝
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3222 , C23C16/274

8. 发明专利

JP2018181633A プラズマ処理装置及び制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018181633A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017080620
申请日：2017-04-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 長田勇輝
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/511 , C23C16/52 , H05H1/00
CPC分类号： H01L22/24 , C23C14/54 , C23C16/45508 , C23C16/4558 , C23C16/511 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32192 , H01J37/32935 , H01J37/32954 , H01J37/32972 , H01L22/12
摘要：【課題】プラズマの分布をモニタすることを目的とする。【解決手段】処理容器の壁面に設けられ、該処理容器の径方向の内側に向けて処理ガスを供給する複数のガス供給ノズルと、前記処理容器の天板の周方向に配置され、プラズマを生成するためのマイクロ波を該処理容器内に導入するN(N≧2)個のマイクロ波導入モジュールと、前記処理容器の壁面にN又はNの倍数個設けられ、前記処理容器内にて生成されたプラズマの電子密度Ne及び電子温度Teの少なくともいずれか一方をモニタするセンサと、を有するプラズマ処理装置が提供される。【選択図】図4

9. 发明专利

JP6283438B2 マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP6283438B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2017062270
申请日：2017-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 小松智仁 , 河西繁 , 宮下大幸 , 長田勇輝 , 谷原聡 , 藤野豊
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46

10. 发明专利

JP6890459B2 プラズマ処理装置及び制御方法有权
公开(公告)号：JP6890459B2
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：JP2017080621
申请日：2017-04-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池田太郎 , 長田勇輝
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H05H1/00

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