专利号JP2014016841 | 半導体装置およびその製造方法

专利标题：半導体装置およびその製造方法
专利标题（英）：JP6282474B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof
申请号：JP2014016841 申请日：2014-01-31
公开(公告)号：JP6282474B2 公开(公告)日：2018-02-21
发明人：大森和幸 , 村中誠志 , 前川和義
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
申请人地址：東京都江東区豊洲三丁目2番24号
专利权人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
当前专利权人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
当前专利权人地址：東京都江東区豊洲三丁目2番24号
代理人：筒井大和; 菅田篤志; 筒井章子; 坂次哲也
主分类号： H01L21/28
IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/285 ; H01L21/3205 ; H01L23/532 ; C23C14/06 ; H01L21/768

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的

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