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1. 发明专利

JP2018107457A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018107457A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2018009300
申请日：2018-01-24
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：大森和幸 , 村中誠志 , 前川和義
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C14/06 , C23C14/14 , H01L21/768
摘要：【課題】半導体装置の性能を向上する。【解決手段】実施の形態では、例えば、成膜時間を4.6秒から6.9秒に長くしている。言い換えれば、実施の形態では、成膜時間を長くして、窒化タンタル膜の膜厚を厚くしている。具体的に、実施の形態では、幅広配線と接続される接続孔の底部に形成される窒化タンタル膜の膜厚が5nm以上10nm以下の範囲内となるように成膜時間を長くしている。【選択図】図17

2. 发明专利

JP2020061580A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020061580A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2020004941
申请日：2020-01-16
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：松本雅弘 , 矢島明 , 前川和義
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/3205
摘要：【課題】半導体チップの縮小化を図って半導体装置の小型化を図る。【解決手段】QFPにおける半導体チップのボンディングパッド4cは、その露出部4caにおいて、角部4nと第1点4qとを結ぶ第1線分4uと、角部4nと第2点4rとを結ぶ第2線分4vと、第1点4qと第2点4rとを結び、かつ角部4nに向かって凸状を成す円弧4wとからなるビア配置領域4xを備えている。さらに、ボンディングパッド4cの平面視において、ビア4hの少なくとも一部がビア配置領域4xに重なって配置されている。【選択図】図4

4. 发明专利

JP6640391B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6640391B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2019008377
申请日：2019-01-22
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：大森和幸 , 村中誠志 , 前川和義
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L23/522 , C23C14/06 , C23C14/14 , H01L21/3205

5. 发明专利

JP2019083333A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019083333A
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：JP2019008377
申请日：2019-01-22
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：大森和幸 , 村中誠志 , 前川和義
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L23/522 , C23C14/06 , C23C14/14 , H01L21/3205
摘要：【課題】半導体装置の性能を向上する。【解決手段】実施の形態では、例えば、成膜時間を4.6秒から6.9秒に長くしている。言い換えれば、実施の形態では、成膜時間を長くして、窒化タンタル膜の膜厚を厚くしている。具体的に、実施の形態では、幅広配線と接続される接続孔の底部に形成される窒化タンタル膜の膜厚が5nm以上10nm以下の範囲内となるように成膜時間を長くしている。【選択図】図17

6. 发明专利

JP6334777B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6334777B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2017090973
申请日：2017-05-01
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：前川和義
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/146

7. 发明专利

JP6346826B2 半導体集積回路装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6346826B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2014160003
申请日：2014-08-06
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：前川和義
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685

8. 发明专利

JP2017152730A 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP2017152730A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2017090973
申请日：2017-05-01
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：前川和義
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/146
摘要：【課題】半導体ウエハを貼り合わせる工程を有する半導体装置の製造工程において、2枚の半導体ウエハ間にボイドが生じることに起因して、貼り合わせた半導体ウエハ間の接合強度が低下することを防ぐ。【解決手段】2枚の半導体ウエハの表面を純水を用いて洗浄した後、各半導体ウエハに熱処理を施すことで、半導体ウエハの表面に吸着している水分などを脱離させる。続いて、各半導体ウエハに対してプラズマ処理を行った後、2枚の半導体ウエハを貼り合わせ、高温で熱処理することで両ウエハ間を強固に結合させる。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2016039192A 半導体集積回路装置の製造方法有权
标题翻译：半导体集成电路设备制造方法
公开(公告)号：JP2016039192A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014160003
申请日：2014-08-06
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：前川和義
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/146 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685
摘要：【課題】固体撮像素子では、半導体と絶縁膜の界面、たとえば、シリコン−酸化シリコン界面の界面準位やデバイス製造過程で生じたチャージの影響により、暗電流が発生し、それが信号ノイズとなり、デバイスの機能、すなわち、撮像品質が劣化するといった問題が発生する。【解決手段】本願発明の概要は、表面照射型イメージセンサを有する半導体集積回路装置の製造方法において、多層配線層の最下層の配線層を形成した後であって、カラーフィルタ層を形成する前に、フォトダイオードが形成されている半導体ウエハの主面に対して、遠紫外線を照射し、その後、熱処理するものである。【選択図】図15
摘要翻译：要解决的问题：为了解决由于半导体和绝缘膜的界面的界面状态（例如硅 - 硅氧化物界面）的影响而产生暗电流的固态成像元件中出现的问题，以及在器件制造过程中产生的电荷，并且暗电流引起信号噪声，从而劣化器件的功能，即成像质量。解决方案：在具有前侧照明图像的半导体集成电路器件的现有制造方法中在形成多层布线层的最下层之后并形成滤色器层之前，将远紫外线辐射在形成光电二极管的半导体晶片的主表面上，随后进行热处理。图示 15

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