基本信息:
- 专利标题： GaN基板
- 专利标题（英）：JP6263920B2 - GaN substrate
- 申请号：JP2013195717 申请日：2013-09-20
- 公开(公告)号：JP6263920B2 公开(公告)日：2018-01-24
- 发明人： 藤澤 英夫 , 鎌田 和典 , 川端 紳一郎
- 申请人： 三菱ケミカル株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内1−1−1
- 专利权人： 三菱ケミカル株式会社
- 当前专利权人： 三菱ケミカル株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内1−1−1
- 代理人： 特許業務法人特許事務所サイクス
- 主分类号： C30B7/10
- IPC分类号： C30B7/10 ; C30B33/00 ; C30B29/38
公开/授权文献:
- JP2015059078A 第１３族金属窒化物基板の製造方法 公开/授权日：2015-03-30