基本信息:

• 专利标题： イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法
• 专利标题（英）：JP6207413B2 - The method of ion implantation apparatus and an ion implantation apparatus
• 申请号：JP2014014584 申请日：2014-01-29
• 公开(公告)号：JP6207413B2 公开(公告)日：2017-10-04
• 发明人： 大浦 正英 , 今井 大輔 , 二宮 史郎
• 申请人： 住友重機械イオンテクノロジー株式会社
• 申请人地址： 東京都品川区大崎二丁目1番1号
• 专利权人： 住友重機械イオンテクノロジー株式会社
• 当前专利权人： 住友重機械イオンテクノロジー株式会社
• 当前专利权人地址： 東京都品川区大崎二丁目1番1号
• 代理人： 森下 賢樹; 村田 雄祐; 三木 友由; 富所 輝観夫
• 主分类号： H01J37/317
• IPC分类号： H01J37/317

公开/授权文献:

• JP2015141834A  イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法 公开/授权日：2015-08-03

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