基本信息:
- 专利标题: マイクロスレッドメモリ
- 专利标题(英):Micro-thread memory
- 专利标题(中):微线程内存
- 申请号:JP2014095678 申请日:2014-05-07
- 公开(公告)号:JP6018118B2 公开(公告)日:2016-11-02
- 发明人: ウェア,フレデリック,エー. , ハムペル,クレイグ,イー. , リチャードソン,ウェイン,エス. , ベローズ,チャド,エー. , ライ,ローレンス
- 申请人: ラムバス・インコーポレーテッド
- 申请人地址: アメリカ合衆国, カリフォルニア州 94089,サニーヴェール,スイート 700,エンタープライズ ウェイ 1050
- 专利权人: ラムバス・インコーポレーテッド
- 当前专利权人: ラムバス・インコーポレーテッド
- 当前专利权人地址: アメリカ合衆国, カリフォルニア州 94089,サニーヴェール,スイート 700,エンタープライズ ウェイ 1050
- 代理人: 稲葉 良幸; 大貫 敏史
- 优先权: US10/998,402 2004-11-29
- 主分类号: G11C11/407
- IPC分类号: G11C11/407 ; G11C11/401
公开/授权文献:
- JP2014160538A Micro thread memory 公开/授权日:2014-09-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
--G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
--------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的 |
----------G11C11/4063 | .....辅助电路,例如,用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的 |
------------G11C11/407 | ......用于场效应型存储单元的 |