基本信息:
- 专利标题： レーザ処理装置、およびレーザ処理方法
- 专利标题（英）：Laser processing equipment, and laser treatment method
- 专利标题（中）：激光治疗装置和激光加工方法
- 申请号：JP2013145987 申请日：2013-07-12
- 公开(公告)号：JP5865303B2 公开(公告)日：2016-02-17
- 发明人： 比江嶋 裕喜 , 太田 道春 , 古村 雄太
- 申请人： アイシン精機株式会社 , トヨタ自動車株式会社
- 申请人地址： 愛知県刈谷市朝日町2丁目1番地
- 专利权人： アイシン精機株式会社,トヨタ自動車株式会社
- 当前专利权人： アイシン精機株式会社,トヨタ自動車株式会社
- 当前专利权人地址： 愛知県刈谷市朝日町2丁目1番地
- 代理人： 岡部 讓; 吉澤 弘司; 三山 勝巳; 川崎 孝
- 主分类号： H01L21/268
- IPC分类号： H01L21/268 ; H01L21/265
公开/授权文献:
- JP2015018980A レーザ処理装置、およびレーザ処理方法 公开/授权日：2015-01-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/268 | ......应用电磁辐射的，例如激光辐射 |