基本信息:
- 专利标题： Optical configuration of the microlithography projection exposure apparatus
- 申请号：JP2012531331 申请日：2010-09-23
- 公开(公告)号：JP5602233B2 公开(公告)日：2014-10-08
- 发明人： シェーパッハ アルミン , マン ハンス‐ユルヘン , アイサート フランク , ブン パトリック クワン イム
- 申请人： カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
- 专利权人： カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
- 当前专利权人： カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
- 优先权： DE102009045163 2009-09-30
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/20
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |