基本信息:
- 专利标题： Manufacturing method of a thin film transistor substrate
- 申请号：JP2009158769 申请日：2009-07-03
- 公开(公告)号：JP5584436B2 公开(公告)日：2014-09-03
- 发明人： 信之 川上 , 綾 三木 , 元隆 越智 , 晋也 森田 , 嘉宏 横田 , 信也 福間 , 裕史 後藤
- 申请人： 株式会社神戸製鋼所
- 专利权人： 株式会社神戸製鋼所
- 当前专利权人： 株式会社神戸製鋼所
- 优先权： JP2008174616 2008-07-03; JP2009068447 2009-03-19
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/3205 ; H01L21/336 ; H01L21/768 ; H01L23/532 ; H01L29/78 ; H01L29/786
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |