基本信息:
- 专利标题： Electron beam exposure apparatus
- 申请号：JP2007516201 申请日：2005-11-18
- 公开(公告)号：JP4945763B2 公开(公告)日：2012-06-06
- 发明人： 圭 小林 , 啓文 山田 , 建次郎 木村 , 和美 松重
- 申请人： 国立大学法人京都大学
- 专利权人： 国立大学法人京都大学
- 当前专利权人： 国立大学法人京都大学
- 优先权： JP2005144049 2005-05-17
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01J37/305
公开/授权文献:
- JPWO2006123447A1 電子ビーム露光装置 公开/授权日：2008-12-25
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |