基本信息:

• 专利标题： Nonvolatile phase change magnetic material, its manufacturing method and a nonvolatile phase change magnetic memory using the same
• 申请号：JP2006532739 申请日：2005-08-30
• 公开(公告)号：JP4423647B2 公开(公告)日：2010-03-03
• 发明人： 英典 ▲高▼木 , 知弘 高山
• 申请人： 独立行政法人科学技術振興機構
• 专利权人： 独立行政法人科学技術振興機構
• 当前专利权人： 独立行政法人科学技術振興機構
• 优先权： JP2004251051 2004-08-30
• 主分类号： H01F10/32
• IPC分类号： H01F10/32 ; G11B11/105 ; H01F41/18

公开/授权文献:

• JPWO2006025413A1  不揮発性相変化磁性材料、その製造方法及びそれを用いた不揮発性相変化磁気メモリ 公开/授权日：2008-07-31

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