基本信息:
- 专利标题： シリコン窒化膜エッチング溶液、及びこれを用いた半導体素子の製造方法
- 专利标题（英）：SILICON NITRIDE FILM ETCHING SOLUTION, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME
- 申请号：JP2020156730 申请日：2020-09-17
- 公开(公告)号：JP2021082806A 公开(公告)日：2021-05-27
- 发明人： ユ・ホソン
- 申请人： オーシーアイ カンパニー リミテッド , OCI Company Ltd.
- 申请人地址： 大韓民国,100−718 ソウル,チュン−グ,ソゴン−ロ,94
- 专利权人： オーシーアイ カンパニー リミテッド,OCI Company Ltd.
- 当前专利权人： オーシーアイ カンパニー リミテッド,OCI Company Ltd.
- 当前专利权人地址： 大韓民国,100−718 ソウル,チュン−グ,ソゴン−ロ,94
- 代理人： 井上 誠一
- 优先权： KR10-2019-0150473 2019-11-21
- 主分类号： H01L27/11556
- IPC分类号： H01L27/11556 ; H01L27/11582 ; H01L21/336 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L21/306
摘要：
【課題】シリコン化合物が容易に分解されず、パーティクルの発生を防ぎ、シリコン酸化膜に対しシリコン窒化膜に対する選択比を増加させるシリコン窒化膜エッチング溶液を提供する。 【解決手段】、シリコン窒化膜エッチング溶液は、リン酸水溶液及下式で表される化合物のうち少なくとも一つを含む。下式において、Xは、夫々独立して水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミン基及びアルコキシ基から選択され、A 1 は、独立してC 1 −C 4 のアルキル基を示し、nは、1〜3であり、nが2又は3であるとき、A 1 は、同一であるか相違する。 【選択図】なし
摘要（英）：
To provide a silicon nitride film etching solution which prevents a silicon compound from being easily decomposed, prevents generation of particles, and increases the selection ratio of a silicon nitride film to a silicone oxide film.SOLUTION: The silicon nitride film etching solution comprises phosphoric acid aqueous solution and at least one of compounds represented by the formula in the figure. In the formula, each X is independently selected from hydrogen, halogen, a hydroxy group, an amine group and an alkoxy group; each A1 independently represents a C1-C4 alkyl group; n is from 1 to 3; and if n is 2 or 3 then A1 are identical or different.SELECTED DRAWING: None
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11551 | ........以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |
| ------------------------H01L27/11553 | .........具有在不同层的源区和漏区的，例如，具有倾斜沟道的 |
| --------------------------H01L27/11556 | ..........沟道具有垂直部分的，例如，U形沟道 |