基本信息:
- 专利标题: シリコン窒化膜エッチング溶液、及びこれを用いた半導体素子の製造方法
- 专利标题(英):SILICON NITRIDE FILM ETCHING SOLUTION, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME
- 申请号:JP2020156730 申请日:2020-09-17
- 公开(公告)号:JP2021082806A 公开(公告)日:2021-05-27
- 发明人: ユ・ホソン
- 申请人: オーシーアイ カンパニー リミテッド , OCI Company Ltd.
- 申请人地址: 大韓民国,100−718 ソウル,チュン−グ,ソゴン−ロ,94
- 专利权人: オーシーアイ カンパニー リミテッド,OCI Company Ltd.
- 当前专利权人: オーシーアイ カンパニー リミテッド,OCI Company Ltd.
- 当前专利权人地址: 大韓民国,100−718 ソウル,チュン−グ,ソゴン−ロ,94
- 代理人: 井上 誠一
- 优先权: KR10-2019-0150473 2019-11-21
- 主分类号: H01L27/11556
- IPC分类号: H01L27/11556 ; H01L27/11582 ; H01L21/336 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L21/306
摘要:
【課題】シリコン化合物が容易に分解されず、パーティクルの発生を防ぎ、シリコン酸化膜に対しシリコン窒化膜に対する選択比を増加させるシリコン窒化膜エッチング溶液を提供する。 【解決手段】、シリコン窒化膜エッチング溶液は、リン酸水溶液及下式で表される化合物のうち少なくとも一つを含む。下式において、Xは、夫々独立して水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミン基及びアルコキシ基から選択され、A 1 は、独立してC 1 −C 4 のアルキル基を示し、nは、1〜3であり、nが2又は3であるとき、A 1 は、同一であるか相違する。 【選択図】なし
摘要(英):
To provide a silicon nitride film etching solution which prevents a silicon compound from being easily decomposed, prevents generation of particles, and increases the selection ratio of a silicon nitride film to a silicone oxide film.SOLUTION: The silicon nitride film etching solution comprises phosphoric acid aqueous solution and at least one of compounds represented by the formula in the figure. In the formula, each X is independently selected from hydrogen, halogen, a hydroxy group, an amine group and an alkoxy group; each A1 independently represents a C1-C4 alkyl group; n is from 1 to 3; and if n is 2 or 3 then A1 are identical or different.SELECTED DRAWING: None