基本信息:
- 专利标题: シリコン窒化膜エッチング溶液及びこの製造方法
- 专利标题(英):SILICON NITRIDE FILM ETCHING SOLUTION AND PRODUCTION METHOD THEREOF
- 申请号:JP2020115809 申请日:2020-07-03
- 公开(公告)号:JP2021015968A 公开(公告)日:2021-02-12
- 发明人: ユ・ホソン , クォン・テスー , キム・ミョンヒョン , イ・ジュンウン
- 申请人: オーシーアイ カンパニー リミテッド , OCI Company Ltd.
- 申请人地址: 大韓民国,100−718 ソウル,チュン−グ,ソゴン−ロ,94
- 专利权人: オーシーアイ カンパニー リミテッド,OCI Company Ltd.
- 当前专利权人: オーシーアイ カンパニー リミテッド,OCI Company Ltd.
- 当前专利权人地址: 大韓民国,100−718 ソウル,チュン−グ,ソゴン−ロ,94
- 代理人: 井上 誠一
- 优先权: KR10-2019-0084195 2019-07-12
- 主分类号: H01L21/306
- IPC分类号: H01L21/306
摘要:
【課題】シリコン酸化膜に対し選択比を向上できるシリコン窒化膜エッチング溶液を提供する。 【解決手段】シリコン窒化膜エッチング溶液は、リン酸水溶液及び下式で表される化合物を含む。 X1〜X3は、C1−C20アルコキシ、ヒドロキシ基及びハロゲン、R1〜R3は、水素、C1−C20アルキル基、C6−C12シクロアルキル、少なくとも一つのヘテロ原子を含むC2−C10ヘテロアルキル、C2−C10アルケニル、C2−C10アルキニル、C1−C10ハロアルキル、C1−C10アミノアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルアルキル、及びハロゲンから選択される。 【選択図】なし
摘要(英):
To provide a silicon nitride film etching solution capable of improving a selection ratio relative to a silicone oxide film.SOLUTION: The silicon nitride film etching solution includes a phosphoric acid aqueous solution and a compound represented by the formula in the figure, where X1 to X3 are selected from C1-C20 alkoxy, a hydroxy group and halogen; and R1 to R3 are selected from hydrogen, C1-C20 alkyl group, a C6-C12 cycloalkyl, C2-C10 heteroalkyl including at least one heteroatom, C2-C10 alkenyl, C2-C10 alkynyl, C1-C10 haloalkyl, C1-C10 aminoalkyl, aryl, heteroaryl, aralkyl and halogen.SELECTED DRAWING: None