基本信息:
- 专利标题： シリコン基板エッチング溶液
- 申请号：JP2019116521 申请日：2019-06-24
- 公开(公告)号：JP2020004965A 公开(公告)日：2020-01-09
- 发明人： ユ・ホソン , ムン・ヨンスン , イ・ジュンウン , チャン・ピョンファ
- 申请人： オーシーアイ カンパニー リミテッド , OCI Company Ltd.
- 申请人地址： 大韓民国,100−718 ソウル,チュン−グ,ソゴン−ロ,94
- 专利权人： オーシーアイ カンパニー リミテッド,OCI Company Ltd.
- 当前专利权人： オーシーアイ カンパニー リミテッド,OCI Company Ltd.
- 当前专利权人地址： 大韓民国,100−718 ソウル,チュン−グ,ソゴン−ロ,94
- 代理人： 井上 誠一
- 优先权： KR10-2018-0074581 2018-06-28
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/306
摘要：
【課題】本発明は、シリコン添加剤を使用することにより、シリコン酸化膜対シリコン窒化膜に対する選択比を上げることができるシリコン基板エッチング溶液を提供することを目的とする。また、本発明は、高温安全性の高いシリコン添加剤を使用することで、高温でシリコン添加剤が分解されて変色することを防止できるシリコン基板エッチング溶液を提供することを目的とする。 【解決手段】リン酸及び所定の第1の化学式(明細書中の化1)及び所定の第2の化学式(明細書中の化2)で表される化合物のうち少なくとも一つを含むシリコン添加剤を含むシリコン基板エッチング溶液が提供される。 【選択図】なし
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |