基本信息:
- 专利标题： 金属−セラミックス接合基板の製造方法
- 申请号：JP2017191721 申请日：2017-09-29
- 公开(公告)号：JP2019064865A 公开(公告)日：2019-04-25
- 发明人： 尾崎 歩
- 申请人： DOWAメタルテック株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区外神田四丁目14番1号
- 专利权人： DOWAメタルテック株式会社
- 当前专利权人： DOWAメタルテック株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区外神田四丁目14番1号
- 代理人： 大川 浩一
- 主分类号： H01L23/36
- IPC分类号： H01L23/36 ; H01L23/12 ; B23K1/00 ; B23K1/19 ; H05K1/03 ; H05K3/38 ; C04B37/02
摘要：
【課題】セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合する、金属−セラミックス接合基板の製造方法において、ろう材の濡れ広がりを十分にし、未接合欠陥を防止し、耐熱衝撃性の低下を防止することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供する。 【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合する、金属−セラミックス接合基板の製造方法において、ろう材を塗布する塗布領域12とろう材を塗布しない非塗布領域14の一方の領域が互いに離間して配置される多数の小領域からなるとともに、他方の領域が一方の領域の多数の小領域の各々の内部にそれぞれ配置される多数の微小領域と一方の領域の多数の小領域間で延びる領域とからなるように、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を塗布する。 【選択図】図1
公开/授权文献:
- JP6970576B2 金属−セラミックス接合基板の製造方法 公开/授权日：2021-11-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/36 | ..为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器 |