基本信息:
- 专利标题： 熱処理装置およびそのメンテナンス方法
- 专利标题（英）：JP2018182246A - Heat treatment apparatus and its maintenance method
- 申请号：JP2017084319 申请日：2017-04-21
- 公开(公告)号：JP2018182246A 公开(公告)日：2018-11-15
- 发明人： 福本 靖博 , 田中 裕二 , 松尾 友宏 , 石井 丈晴
- 申请人： 株式会社SCREENホールディングス
- 申请人地址： 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1
- 专利权人： 株式会社SCREENホールディングス
- 当前专利权人： 株式会社SCREENホールディングス
- 当前专利权人地址： 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1
- 代理人： 杉谷 勉; 戸高 弘幸; 杉谷 知彦; 栗原 要; 青野 信喜
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/683 ; H01L21/324 ; H01L21/31 ; H01L21/027
A without increasing the number of openings, the openings of the provided separately from the chamber to the substrate entrance, to provide a heat treatment apparatus and a maintenance method can maintain the chamber. A The Apart side wall of the chamber 2 is a substrate entrance, and an exhaust port 23 is provided, on its exhaust port 23, is connected to a gas recovery unit 51 for discharging gas from the chamber 2. The gas recovery unit 51, the patching lock 63 is removed from the chamber 2, also adapted to be attached to the chamber 2. Removing the gas recovery unit 51 from the chamber 2, an exhaust port 23 is opened. The exhaust port 23 is an opening for maintenance. Thus, without increasing the number of openings, the openings of the chamber 2 which is provided separately from the substrate entrance, can maintain the chamber 2. .FIELD 5
公开/授权文献:
- JP6774368B2 熱処理装置のメンテナンス方法 公开/授权日：2020-10-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |