基本信息:
- 专利标题： 半導体発光素子およびその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor light emitting element and manufacturing method of the same
- 申请号：JP2015248898 申请日：2015-12-21
- 公开(公告)号：JP2017117845A 公开(公告)日：2017-06-29
- 发明人： SONE NAOKI , NOMURA AKIHIRO , SUGIMORI SHOGO
- 申请人： 株式会社小糸製作所 , Koito Mfg Co Ltd
- 专利权人： 株式会社小糸製作所,Koito Mfg Co Ltd
- 当前专利权人： 株式会社小糸製作所,Koito Mfg Co Ltd
- 优先权： JP2015248898 2015-12-21
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; C23C16/34
摘要：
【課題】ラストバリア層の表面状態を良好にして結晶品質を維持し、発光効率を向上させることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】障壁層と井戸層を交互に積層した多重量子井戸活性層と、多重量子井戸活性層の上に形成された電子ブロック層とを備える半導体発光素子であって、障壁層のうち最上層であるラストバリア層は、他の障壁層よりも厚く、電子ブロック層からの不純物が拡散されている拡散領域と、電子ブロック層からの不純物が到達していない非拡散領域とを備えている。【選択図】図3
公开/授权文献:
- JP6884505B2 半導体発光素子およびその製造方法 公开/授权日：2021-06-09