基本信息:
- 专利标题： 同調半導体増幅器
- 专利标题（英）：Tuning semiconductor amplifier
- 申请号：JP2016191254 申请日：2016-09-29
- 公开(公告)号：JP2017073769A 公开(公告)日：2017-04-13
- 发明人： ウォルター エイチ.ナギー , リンドン パティソン
- 申请人： メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド
- 申请人地址： アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 01851 ローウェル チェムスフォード ストリート 100
- 专利权人： メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド
- 当前专利权人： メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 01851 ローウェル チェムスフォード ストリート 100
- 代理人： 恩田 誠; 恩田 博宣; 本田 淳
- 优先权： US14/878,952 2015-10-08
- 主分类号： H01L21/338
- IPC分类号： H01L21/338 ; H01L29/812 ; H01L21/337 ; H01L27/098 ; H01L29/808 ; H01L29/778 ; H03F3/193
摘要：
【課題】高周波及び/又は高出力で動作する集積半導体トランジスタの性能を改善する方法及び構造を提供すること。 【解決手段】2つのコンデンサが半導体トランジスタの入力に接続され、第2高調波発生を抑圧し、且つデバイスの入力インピーダンスを変換及び整合させるために同調される。2段階チューニング手順を備えている。トランジスタは窒化ガリウムを含み得る。トランジスタは、1000Wまでの電力を扱うことができるパワートランジスタとして構成され得る。同調トランジスタは、60%を超えるピークドレイン効率を備え、6GHzまでの周波数で動作し得る。 【選択図】図5
公开/授权文献:
- JP6906918B2 同調半導体増幅器 公开/授权日：2021-07-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/338 | ......带有肖特基栅的 |