基本信息:
- 专利标题： 4級アンモニウム塩化合物、レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
- 专利标题（英）：Quaternary ammonium salt compound, composition for forming resist underlay film, and pattern forming method
- 专利标题（中）：季铵盐化合物，用于形成电阻膜的组合物和图案形成方法
- 申请号：JP2014115506 申请日：2014-06-04
- 公开(公告)号：JP2015229640A 公开(公告)日：2015-12-21
- 发明人： 荻原 勤 , 渡辺 武
- 申请人： 信越化学工業株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
- 专利权人： 信越化学工業株式会社
- 当前专利权人： 信越化学工業株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
- 代理人： 好宮 幹夫
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/11 ; G03F7/26 ; G03F7/075 ; C07C53/18 ; C07C63/08 ; C07C219/14 ; C07C229/12 ; H01L21/027 ; C07C211/63
摘要：
【課題】レジスト下層膜形成用組成物に添加することで、特にKrF露光プロセスにおいて従来のケイ素含有レジスト下層膜を使用した場合よりも反射を抑え、パターン形状を改善する4級アンモニウム塩化合物を提供する。 【解決手段】下記一般式(A−1)で示される4級アンモニウム塩化合物。 【化1】 (式中、R 1 、R 2 、R 3 は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、又はアラルキル基を示し、一部又は全部の水素原子がヒドロキシル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子によって置換されていてもよく、カルボニル基、エステル結合のうち1種以上を有していてもよい。R 4 は単結合、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、又はアラルキレン基を示し、一部又は全部の水素原子がアルコキシ基又はハロゲン原子によって置換されていてもよく、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合のうち1種以上を有していてもよい。A − は非求核性対向イオンである。) 【選択図】なし
摘要（中）：
要解决的问题：与传统的含硅抗蚀剂底衬膜相比，提供一种季铵盐化合物，其特别是在KrF曝光工艺中抑制抗蚀剂底衬层的反射，通过将该化合物加入到用于形成抗蚀底片的组合物中 ，改善了图案形状。解决方案：季铵盐化合物由下式（A-1）表示。 在该式中，R，R和R表示烷基，烯基，芳基或芳烷基，其中一部分或全部氢原子可以被羟基，烷氧基或 卤原子，或者可以包括羰基和酯键中的至少一个; R表示单个键，亚烷基，亚烯基，亚芳基或亚芳基，其中一部分或全部氢原子可被烷氧基或卤素原子代替，或者可以具有至少一个 的醚键，羰基，酯键和酰胺键; 并表示非亲核抗衡离子。
公开/授权文献:
- JP6158754B2 レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 公开/授权日：2017-07-05