基本信息:
- 专利标题： 一時的に接着された半導体ウエハの剥離
- 专利标题（英）：Peeling of temporarily bonded semiconductor wafer
- 专利标题（中）：剥离假粘合的半导体晶片
- 申请号：JP2014539126 申请日：2012-10-29
- 公开(公告)号：JP2014534640A 公开(公告)日：2014-12-18
- 发明人： ジョージ グレゴリー , ジョージ グレゴリー , ローゼンタール クリストファー , ローゼンタール クリストファー
- 申请人： ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング , ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
- 专利权人： ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング,ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
- 当前专利权人： ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング,ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
- 优先权： US201161552140 2011-10-27
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; B24B41/06 ; H01L21/02 ; H01L21/683
摘要：
記載された方法および装置は、デバイスウエハとキャリアウエハとの間の接着剤に対し制御された摂動を提供する。この制御された摂動は、機械的、化学的、熱的、放射的またはそれらの組み合わせとすることができ、デバイスウエハに損傷を与えることなく、2つのウエハの分離を容易にするものである。制御された摂動は、接着層内の界面(例えば、剥離層と接着剤との間)で、またはウエハ/接着剤の界面で、2つのウエハを接合している接着剤に亀裂を発生させる。そして、亀裂を発生させるのに使用された上記方法のいずれかまたはその組み合わせを用いて、亀裂を拡大させることができる。
摘要（中）：
所描述的方法和装置提供的受控扰动到器件晶片和载体晶片间的粘接剂。 这种受控的扰动，机械，化学，热，可以辐射或它们的组合，而不会损坏器件晶片，它是为了便于两个晶片的分离。 控制扰动，粘合层（例如，释放层和所述粘合剂之间）之间或在晶片/粘合剂之间的界面处的界面，从而产生在粘合剂裂纹键合两个晶片。 然后，使用任一个或用来产生裂纹的方法的组合，可以扩大裂缝。
摘要（英）：
Described methods and apparatus provide a controlled perturbation to the adhesive between the device wafer and the carrier wafer. This controlled perturbation, mechanical, chemical, thermal, can be radiated or combinations thereof, without damaging the device wafer, it is to facilitate the separation of the two wafers. Controlled perturbations, the interface between the adhesive layer (e.g., between the release layer and the adhesive) or in the interface of the wafer / adhesive, to generate a crack in the adhesive that joins the two wafers. Then, using either or a combination of the above method used to generate the cracks, it is possible to enlarge the crack.
公开/授权文献:
- JP5739588B2 一時的に接着された半導体ウエハの剥離 公开/授权日：2015-06-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |