基本信息:
- 专利标题： 一時的に接着された半導体ウエハの剥離
- 专利标题（英）：Peeling of temporarily bonded semiconductor wafer
- 专利标题（中）：剥离假粘合的半导体晶片
- 申请号：JP2014539126 申请日：2012-10-29
- 公开(公告)号：JP5739588B2 公开(公告)日：2015-06-24
- 发明人： グレゴリー ジョージ , クリストファー ローゼンタール
- 申请人： ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
- 申请人地址： ドイツ 85748 ガルヒング シュライスハイマー シュトラーセ 90
- 专利权人： ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
- 当前专利权人： ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
- 当前专利权人地址： ドイツ 85748 ガルヒング シュライスハイマー シュトラーセ 90
- 代理人： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
- 优先权： US61/552,140 2011-10-27
- 国际申请： US2012062480 JP 2012-10-29
- 国际公布： WO2013063603 JP 2013-05-02
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; H01L21/683 ; H01L21/02
公开/授权文献:
- JP2014534640A 一時的に接着された半導体ウエハの剥離 公开/授权日：2014-12-18
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |