基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：JP2012249971 申请日：2012-11-14
- 公开(公告)号：JP2014099487A 公开(公告)日：2014-05-29
- 发明人： IMAI MAKOTO , TANAKA TORU
- 申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
- 专利权人： Toyota Motor Corp,トヨタ自動車株式会社
- 当前专利权人： Toyota Motor Corp,トヨタ自動車株式会社
- 优先权： JP2012249971 2012-11-14
- 主分类号： H01L25/07
- IPC分类号： H01L25/07 ; H01L23/08 ; H01L23/28 ; H01L25/18
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an art to relax a stress applied to a capacitor due to heat deformation when using a capacitor such as a ceramic capacitor which is comparatively easy to crack in a semiconductor device in which a semiconductor element and the capacitor are molded by a resin.SOLUTION: A semiconductor device 2 is a device in which a transistor 5 and a capacitor 3 are molded by a first resin. The transistor 5 and the capacitor 3 are connected with lead frames 8a, 8b, respectively, which are fitted to both sides of a resin mold body 13. The capacitor 3 is covered with a second resin 12 having rigidity lower than that of the first resin 13 and the outside of the second resin 12 is molded with the first resin.
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种使用在半导体元件和电容器成型的半导体器件中使用陶瓷电容器等容易发生龟裂的电容器时由于热变形而施加于电容器的应力的技术 通过树脂。解决方案：半导体器件2是其中晶体管5和电容器3由第一树脂模制的器件。 晶体管5和电容器3分别与安装在树脂模体13的两侧的引线框架8a，8b连接。电容器3被刚性低于第一树脂的第二树脂12覆盖 并且第二树脂12的外部用第一树脂模制。
公开/授权文献:
- JP5737272B2 半導体装置 公开/授权日：2015-06-17
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/07 | ...包含在H01L29/00组类型的器件 |