基本信息:
- 专利标题: The method of producing an organic device
- 申请号:JP2012535770 申请日:2010-10-25
- 公开(公告)号:JP2013508989A 公开(公告)日:2013-03-07
- 发明人: ロベルト・ミュラー
- 申请人: アイメックImec , ネーデルランツェ・オルガニザーティ・フォール・トゥーヘパストナトゥールウェテンシャッペレイク・オンダーズーク・テーエヌオー
- 专利权人: アイメックImec,ネーデルランツェ・オルガニザーティ・フォール・トゥーヘパストナトゥールウェテンシャッペレイク・オンダーズーク・テーエヌオー
- 当前专利权人: アイメックImec,ネーデルランツェ・オルガニザーティ・フォール・トゥーヘパストナトゥールウェテンシャッペレイク・オンダーズーク・テーエヌオー
- 优先权: US25484809 2009-10-26
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; H01L21/28 ; H01L21/8238 ; H01L27/092 ; H01L29/417 ; H01L29/786 ; H01L51/05
The present invention relates to a manufacturing method of an organic device, comprising the following steps. (I) the step of providing a substrate (1) having a surface provided with electrical contact structure (4) and the insulating portion (3). (Ii) step of the first temporary protective layer (9), provided on some or all of the electrical contact structure (4). (Iii) that the first surface modification layer (6) disposed on the insulating part (3), and / or the third surface modifying layer (10), is not protected in step (ii) the electric the step of providing on the contact structure (4). (Iv) the first step to remove the temporary protective layer (9). (V) a second surface modification layer (5) is provided on the protective electrical contact structure in step (ii) step. (Vi) the first surface modification layer (6), unless provided in step (iii), provided on the insulating portion (3) step. The (vii) an organic semiconductor layer (7), over at least a portion of said first surface modifying layer (6), and on the second surface modifying layer (5), and, if present , provided on said third surface modifying layer (10), thereby obtaining the organic device.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |