基本信息:
- 专利标题： Method for measuring transistor
- 专利标题（中）：测量晶体管的方法
- 申请号：JP2011099547 申请日：2011-04-27
- 公开(公告)号：JP2011249787A 公开(公告)日：2011-12-08
- 发明人： TSUJI TAKAHIRO
- 申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
- 专利权人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd,株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd,株式会社半導体エネルギー研究所
- 优先权： JP2010103909 2010-04-28
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a measuring method with high reproducibility in a bias-thermal stress test of a transistor in which an oxide semiconductor is used as a semiconductor layer.SOLUTION: There is provided a method for measuring a transistor having steps of: placing a transistor in which an oxide semiconductor is used as a semiconductor layer in a light-shielded measurement chamber; introducing dry air, nitrogen, or argon in the measurement chamber; and measuring variation of threshold voltage with time by applying a predetermined voltage to a gate electrode of the transistor for certain time in the measurement chamber holding the atmosphere at a dew point between -110°C and -30°C.
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种在其中使用氧化物半导体作为半导体层的晶体管的偏置 - 热应力测试中具有高再现性的测量方法。 提供了一种用于测量具有以下步骤的晶体管的方法：在屏蔽测量室中放置其中使用氧化物半导体的晶体管作为半导体层; 在测量室内引入干燥空气，氮气或氩气; 并且在保持气氛的测量室中在-110℃至-30℃的露点之间，通过在晶体管的栅电极施加预定电压一定时间来测量阈值电压随时间的变化。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT
公开/授权文献:
- JP5809439B2 トランジスタの測定方法 公开/授权日：2015-11-10
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |