发明专利
JP2010245495A Wiring structure, thin film transistor substrate, method of manufacturing thin film transistor substrate and display
有权
基本信息:
- 专利标题： Wiring structure, thin film transistor substrate, method of manufacturing thin film transistor substrate and display
- 专利标题（中）：导线结构，薄膜晶体管基板，制造薄膜晶体管基板和显示器的方法
- 申请号：JP2009158769 申请日：2009-07-03
- 公开(公告)号：JP2010245495A 公开(公告)日：2010-10-28
- 发明人： KAWAKAMI NOBUYUKI , MIKI AYA , OCHI MOTOTAKA , MORITA SHINYA , YOKOTA YOSHIHIRO , FUKUMA SHINYA , GOTO YASUSHI
- 申请人： Kobe Steel Ltd , 株式会社神戸製鋼所
- 专利权人： Kobe Steel Ltd,株式会社神戸製鋼所
- 当前专利权人： Kobe Steel Ltd,株式会社神戸製鋼所
- 优先权： JP2008174616 2008-07-03; JP2009068447 2009-03-19
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/3205 ; H01L21/336 ; H01L21/768 ; H01L23/52 ; H01L29/78 ; H01L29/786
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a direct contact technique by which a barrier metal layer between a Cu based alloy wiring composed of pure Cu or Cu alloy and a semiconductor layer is eliminated, and the Cu based alloy wiring is directly and securely connected to the semiconductor layer within a wide range of process margin. SOLUTION: A wiring structure has the semiconductor layer and Cu based alloy film composed of pure Cu or Cu alloy on a substrate in their order from the substrate side, and includes a laminate structure of: a (N, C, F, O) layer containing at least a kind of element selected from a group comprising nitrogen, carbon, fluorine and oxygen, between the semiconductor layer and Cu based alloy film in their order from the substrate side; and a Cu-Si diffusion layer containing Cu and Si. Any of elements such as nitrogen, carbon, fluorine and oxygen composing the (N, C, F, O) layer is coupled to Si of the semiconductor layer. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种直接接触技术，通过该技术，消除了由纯Cu或Cu合金构成的Cu基合金布线与半导体层之间的阻挡金属层，并且Cu基合金布线直接且可靠地 在宽范围的工艺范围内连接到半导体层。 解决方案：一种布线结构在基板上从基板侧开始依次具有由纯Cu或Cu合金构成的半导体层和Cu基合金膜，并且包括：（N，C，F， O）层，从半导体层和Cu基合金膜之间起依次包含从氮，碳，氟和氧中选择的至少一种元素; 以及含有Cu和Si的Cu-Si扩散层。 构成（N，C，F，O）层的元素如氮，碳，氟和氧等与半导体层的Si耦合。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
公开/授权文献:
- JP5584436B2 Manufacturing method of a thin film transistor substrate 公开/授权日：2014-09-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |