基本信息:
- 专利标题： Magnetic storage device and its method of operation
- 专利标题（中）：磁存储器件及其操作方法
- 申请号：JP2006089272 申请日：2006-03-28
- 公开(公告)号：JP2007266301A 公开(公告)日：2007-10-11
- 发明人： ASHIDA YUTAKA , SATO MASASHIGE , UMEHARA SHINJIRO , OCHIAI TAKAO , KOBAYASHI KAZUO
- 申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
- 专利权人： Fujitsu Ltd,富士通株式会社
- 当前专利权人： Fujitsu Ltd,富士通株式会社
- 优先权： JP2006089272 2006-03-28
- 主分类号： H01L21/8246
- IPC分类号： H01L21/8246 ; G11C11/15 ; H01L27/105 ; H01L43/08
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve the compatibility of the reduction of critical current density J C , the improvement in output voltage, and the prevention of malfunction in order to obtain a large capacity (exceeding G bit) MRAM by spin-transfer torque writing method MRAM (STS-MRAM), being related to a magnetic storage device and its method of operation. SOLUTION: Between a free magnetic layer 4C composed of one or more ferromagnetic layers and nonmagnetic layers and a pinned magnetic layer 4A of multilayered ferri-pin structure, in the case of GMR type, it is fundamental that a nonmagnetic metal layer 4B is interposed and a magnetoresistance effect element composed by being provided with a heating layer 4E in the vicinity of the free magnetic layer 4C is equipped to operate it. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要（中）：
要解决的问题：为了获得临界电流密度J SB的降低的兼容性，提高输出电压，并防止故障，以获得大容量（超过G 位）MRAM通过自旋传递转矩写入方法MRAM（STS-MRAM），与磁存储装置及其操作方法有关。 解决方案：在由一个或多个铁磁层和非磁性层组成的自由磁性层4C和多层铁 - 引线结构的钉扎磁性层4A之间，在GMR型的情况下，非磁性金属层4B 并且设置由在自由磁性层4C附近设置有加热层4E而构成的磁阻效应元件来进行操作。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8246 | .........只读存储器结构（ROM） |