发明专利
JP2003508914A Trench technology and dielectric floating gates in 8-bit per cell using the non-volatile semiconductor memory structure
有权
基本信息:
- 专利标题： Trench technology and dielectric floating gates in 8-bit per cell using the non-volatile semiconductor memory structure
- 申请号：JP2001520466 申请日：2000-08-25
- 公开(公告)号：JP2003508914A 公开(公告)日：2003-03-04
- 发明人： ラング，シャン・ラン , ル，タオ・チェン , ワン，マム・ツン
- 申请人： マクロニックス・アメリカ・インコーポレーテッド
- 专利权人： マクロニックス・アメリカ・インコーポレーテッド
- 当前专利权人： マクロニックス・アメリカ・インコーポレーテッド
- 优先权： US38448299 1999-08-27
- 主分类号： G11C16/02
- IPC分类号： G11C16/02 ; G11C16/04 ; H01L21/8246 ; H01L21/8247 ; H01L27/115 ; H01L29/788 ; H01L29/792
(57) Abstract: The present application discloses a nonvolatile semiconductor memory device for storing information to 8-bit. Apparatus, and one conductivity type semiconductor substrate, a central bottom diffusion region on top of a portion of the semiconductor substrate, a second semiconductor layer on top of the bottom diffusion region, first away from the central bottom diffusion region 2 and a left and right diffusion regions formed in the semiconductor layer, forming a first vertical channel between the right and central bottom diffusion regions. The apparatus further semiconductor substrate, left, and trapping dielectric layer formed over the exposed portions of the central and right bottom diffusion regions and second semiconductor layer, the word line formed over the trapping dielectric layer including the door. Further, a method for producing the novel cell using trench technology is disclosed.
公开/授权文献:
- JP4964378B2 The nonvolatile semiconductor memory device 公开/授权日：2012-06-27