基本信息:

• 专利标题： MEMORY DEVICE WITH BUILT-IN FLEXIBLE DOUBLE REDUNDANCY
• 申请号：EP21727667.4 申请日：2021-04-30
• 公开(公告)号：EP4162490A1 公开(公告)日：2023-04-12
• 发明人： KOTA, Anil Chowdary , LEE, Hochul
• 申请人： QUALCOMM INCORPORATED
• 申请人地址： US San Diego, California 92121-1714 ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive
• 代理机构： Klang, Alexander H.
• 优先权： US202016894606 20200605
• 国际公布： WO2021247176 20211209
• 主分类号： G11C7/14
• IPC分类号： G11C7/14 ; G11C7/06 ; G11C7/24 ; G11C29/00 ; G11C17/16

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