
基本信息:
- 专利标题: SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND METHOD
- 专利标题(中):SUBSTRATBEHANDLUNGSVORRICHTUNG UND -VERFAHREN
- 申请号:EP14862121 申请日:2014-10-21
- 公开(公告)号:EP3073512A4 公开(公告)日:2017-06-28
- 发明人: KAJIHARA YUJI
- 申请人: CANON ANELVA CORP
- 专利权人: CANON ANELVA CORP
- 当前专利权人: CANON ANELVA CORP
- 优先权: JP2013237543 2013-11-18
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; C23C14/58 ; F25B9/14 ; H01L21/3065 ; H01L21/67 ; H01L21/683 ; H01L21/687 ; H01L43/02 ; H01L43/08 ; H01L43/10 ; H01L43/12 ; H05B1/02
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |