基本信息:
- 专利标题： RESISTANCE-BASED MEMORY CELLS WITH MULTIPLE SOURCE LINES
- 专利标题（中）：具有多个源线路电阻存储器单元
- 申请号：EP14776976.4 申请日：2014-09-18
- 公开(公告)号：EP3022738B1 公开(公告)日：2017-02-01
- 发明人： DONG, Xiangyu
- 申请人： Qualcomm Incorporated
- 申请人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 US
- 专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 US
- 代理机构： Dunlop, Hugh Christopher
- 优先权： US201314041868 20130930
- 国际公布： WO2015047844 20150402
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C11/16 ; G11C11/56 ; G11C13/00 ; G11C17/02 ; G11C17/14 ; G11C7/10 ; G11C8/16
公开/授权文献:
- EP3022738A1 RESISTANCE-BASED MEMORY CELLS WITH MULTIPLE SOURCE LINES 公开/授权日：2016-05-25