基本信息:
- 专利标题： PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE DIAMANT EN PHASE VAPEUR
- 专利标题（英）：Method for a diamond vapor deposition
- 专利标题（中）：VERFAHRENFÜREINE DIAMANTDAMPFABSCHEIDUNG
- 申请号：EP14706065.1 申请日：2014-02-25
- 公开(公告)号：EP2978871A2 公开(公告)日：2016-02-03
- 发明人： RATS, David , PROVENT, Christophe
- 申请人： NeoCoat SA
- 申请人地址： Eplatures-Grise 17 2300 La Chaux-de-Fonds CH
- 专利权人： NeoCoat SA
- 当前专利权人： NeoCoat SA
- 当前专利权人地址： Eplatures-Grise 17 2300 La Chaux-de-Fonds CH
- 代理机构： GLN SA
- 优先权： EP13161778 20130328
- 国际公布： WO2014154424 20141002
- 主分类号： C23C16/04
- IPC分类号： C23C16/04 ; C23C16/511 ; C23C16/27 ; H05H1/18 ; H01J37/32
摘要：
The present invention relates to a method for depositing nanocrystalline diamond using a diamond vapor deposition facility which includes: a vacuum reactor (3) including a reaction chamber connected to a vacuum source; a plurality of plasma sources arranged along a matrix that is at least two-dimensional in the reaction chamber; and a substrate holder (5) arranged in the reactor, said method being characterized in that the deposition is carried out at a temperature of 100 to 500°C.
摘要（中）：
该装置包括：真空反应器（3），包括连接到真空源的反应室; 布置在反应器中的衬底保持器（5） 以及沿着反应室中的三维矩阵布置的一组等离子体源。 每个等离子体源在反应室中具有活性区，并且多个点源为等离子体表面的80-320 / m 2，等离子体的点源为同轴施加器（6）。 同轴施加器在其位于反应室中的端部具有限定活动区域的窗口。 独立权利要求包括：（1）沉积纳米晶体金刚石的方法; 和（2）通过该方法获得的部分。
公开/授权文献:
- EP2978871B1 PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE DIAMANT EN PHASE VAPEUR 公开/授权日：2017-04-05