发明公开
EP2847806A2 SPIN TRANSISTORS EMPLOYING A PIEZOELECTRIC LAYER AND RELATED MEMORY, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF
有权
基本信息:
- 专利标题： SPIN TRANSISTORS EMPLOYING A PIEZOELECTRIC LAYER AND RELATED MEMORY, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF
- 专利标题（中）：SPIN RANSISTOREN使用压电层和有关的记忆存储系统和其生产过程
- 申请号：EP13724128.7 申请日：2013-05-09
- 公开(公告)号：EP2847806A2 公开(公告)日：2015-03-18
- 发明人： DU, Yang
- 申请人： Qualcomm Incorporated
- 申请人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
- 专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
- 代理机构： Schmidbauer, Andreas Konrad
- 优先权： US201261644592P 20120509; US201313746011 20130121
- 国际公布： WO2013170070 20131114
- 主分类号： H01L43/00
- IPC分类号： H01L43/00
摘要：
Spin transistors and related memory, memory systems, and methods are disclosed. A spin transistor is provided by at least two magnetic tunnel junctions (MTJs) with a shared multiferroic layer. The multiferroic layer is formed from a piezoelectric (PE) thin film over a ferromagnetic thin film (FM channel) with a metal electrode (metal). The ferromagnetic layer functions as the spin channel and the piezoelectric layer is used for transferring piezoelectric stress to control the spin state of the channel. The MTJ on one side of the shared layer forms a source and the MTJ on the other side is a drain for the spin transistor.
摘要（中）：
自旋晶体管以及相关的内存，存储系统和方法是游离缺失盘。 自旋晶体管由至少两个磁隧道结（MTJ）与共享的多重铁性层提供。 所述多重铁性层由压电（PE）薄膜上的铁磁薄膜（FM信道）与金属电极（金属）形成。 铁磁层用作自旋通道和压电层用于传递环压电应力以控制通道的自旋状态。 在共享层的一侧上的MTJ形成源极，而在另一侧的MTJ是用于自旋晶体管的漏极。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |