基本信息:
- 专利标题： MEMORY CELLS AND MEMORY CELL ARRAYS
- 专利标题（中）：存储单元与存储单元阵列
- 申请号：EP12842519 申请日：2012-09-18
- 公开(公告)号：EP2769414A4 公开(公告)日：2015-07-01
- 发明人： SILLS SCOTT E , SANDHU GURTEJ S , TANG SANH D , SMYTHE JOHN
- 申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
- 专利权人： MICRON TECHNOLOGY INC
- 当前专利权人： MICRON TECHNOLOGY INC
- 优先权： US201113275168 2011-10-17
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247 ; H01L45/00
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |