基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING
- 专利标题（中）：半导体衬底及其制造方法
- 申请号：EP12803737 申请日：2012-06-28
- 公开(公告)号：EP2727134A4 公开(公告)日：2015-04-01
- 发明人： FAURIE JEAN-PIERRE , BEAUMONT BERNARD
- 申请人： SAINT GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS
- 专利权人： SAINT GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS
- 当前专利权人： SAINT GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS
- 优先权： US201161501983 2011-06-28
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/02 ; H01L33/00
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |