基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：EP11867292.2 申请日：2011-06-09
- 公开(公告)号：EP2720263A1 公开(公告)日：2014-04-16
- 发明人： OGA Takuya , SAKAMOTO Kazuyasu , SUGIHARA Tsuyoshi , KATO Masaki , NAKASHIMA Daisuke , JIDA Tsuyoshi , TADA Gen
- 申请人： Mitsubishi Electric Corporation
- 申请人地址： 7-3 Marunouchi 2-Chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310 JP
- 专利权人： Mitsubishi Electric Corporation
- 当前专利权人： Mitsubishi Electric Corporation
- 当前专利权人地址： 7-3 Marunouchi 2-Chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310 JP
- 代理机构： HOFFMANN EITLE
- 国际公布： WO2012169044 20121213
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L29/78
摘要：
A semiconductor device is provided, in which a first lead (11) is joined with the bottom electrode (23) of a MOS-FET (21) with first solder (51), the top electrode (22) of the MOS-FET is joined with an internal lead (31) with second solder (52), the internal lead is joined with a projection (61) of a second lead with third solder (53), and the first lead, second lead, MOS-FET and internal lead are integrally molded using sealing resin (41), wherein the first solder and second solder include support members (54) and (55), respectively, located thereinside and positions of the internal lead and MOS-FET are stabilized by self-alignment.
摘要（中）：
提供一种半导体器件，其中第一引线（11）与第一焊料（51）与MOS-FET（21）的底电极（23）接合，MOS-FET的顶电极（22） 内引线与第二引线与第三焊料（53）的突起（61）连接，并且第一引线，第二引线，MOS-FET和内部引线 引线是用密封树脂（41）整体模制的，其中第一焊料和第二焊料分别包括位于其内部的支撑部件（54）和（55），并且内部引线和MOS-FET的位置通过自对准而稳定。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/48 | .用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置 |