基本信息:
- 专利标题： MRAM element having improved data retention and low writing temperature
- 专利标题（中）：MRAM-Element mit verbesserter Datenspeicherung und geringer Schreibtemperatur
- 申请号：EP12290196.0 申请日：2012-06-08
- 公开(公告)号：EP2672488A1 公开(公告)日：2013-12-11
- 发明人： Prejbeanu, Ioan Lucian , Dieny, Bernard , Ducruet, Clarisse , Lombard, Lucien
- 申请人： Crocus Technology S.A.
- 申请人地址： Place Robert Schuman 5 38025 Grenoble Cedex FR
- 专利权人： Crocus Technology S.A.
- 当前专利权人： ALLEGRO MICRO SYSTEMS LLC, MANCHESTER, US
- 当前专利权人地址： ALLEGRO MICRO SYSTEMS LLC, MANCHESTER, US
- 代理机构： P&TS SA (AG, Ltd.)
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16
摘要：
The present disclosure concerns a MRAM element (1) comprising a magnetic tunnel junction (2) including a reference layer (21) having a reference magnetization (210); a storage layer (23) having a storage magnetization (230, 234, 235); a tunnel barrier layer (22) included between the storage layer (23) and the reference layer (21); and a storage antiferromagnetic layer (24) exchange-coupling the storage layer (23) such as to pin the storage magnetization (230, 234, 235) at a low temperature threshold and to free it at a high temperature threshold; the anti-ferromagnetic layer (24) comprising: at least one first layer (241) having a first storage blocking temperature (T bs1 ), and at least one second antiferromagnetic layer (242) having a second storage blocking temperature (T bs2 ); the first storage blocking temperature (T bs1 ) being lower than the second storage blocking temperature (T bs2 ). The MRAM element disclosed herein combines better data retention compared with known MRAM elements with low writing mode operating temperature.
摘要（中）：
本公开涉及一种MRAM元件（1），其包括具有参考磁化（210）的参考层（21）的磁性隧道结（2）。 存储层（23），具有存储磁化（230,234,235）; 包括在所述存储层（23）和所述参考层（21）之间的隧道势垒层（22）; 以及存储反铁磁层（24），其交换耦合所述存储层（23），以便在低温阈值下固定所述存储磁化（230,234,235），并将其在高温阈值下释放; 所述反铁磁层（24）包括：具有第一储存阻挡温度（T bs1）的至少一个第一层（241）和具有第二储存阻挡温度（T bs2）的至少一个第二反铁磁层（242）; 第一储存阻断温度（T bs1）低于第二储存阻断温度（T bs2）。 与具有低写入模式工作温度的已知MRAM元件相比，本文公开的MRAM元件结合了更好的数据保持。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/16 | ..应用磁自旋效应的存储元件的 |