基本信息:
- 专利标题： Magnetoresistance effect device and method of production of the same
- 专利标题（中）：Vorrichtung mit magnetoresistiver Wirkung und Herstellungsverfahrendafür
- 申请号：EP08159511.8 申请日：2005-09-05
- 公开(公告)号：EP1973178B1 公开(公告)日：2012-10-24
- 发明人： Djayaprawira, David D , Tsunekawa, Koji , Nagai, Motonobu , Maehara, Hiroki , Yamagata, Shinji , Watanabe, Naokion , Yuasa, Shinji
- 申请人： Canon Anelva Corporation , National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- 申请人地址： 5-1 Kurigi 2-chome Asao-ku Kawasaki-shi Kanagawa 210-8550 JP
- 专利权人： Canon Anelva Corporation,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- 当前专利权人： Canon Anelva Corporation,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- 当前专利权人地址： 5-1 Kurigi 2-chome Asao-ku Kawasaki-shi Kanagawa 210-8550 JP
- 代理机构： Hatzmann, Martin
- 优先权： JP2004259280 20040907
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; H01L43/12 ; H01F41/30 ; H01F41/32 ; G11C11/16 ; C23C14/08 ; B82Y25/00 ; C23C14/34 ; H01F10/32 ; H01F41/18
摘要：
A magnetoresistance effect device including a multilayer structure having a pair of ferromagnetic layers and a barrier layer positioned between them, wherein at least one ferromagnetic layer has at least the part contacting the barrier layer made amorphous and the barrier layer is an MgO layer having a single crystal structure.
摘要（中）：
一种磁电阻效应器件，包括具有一对铁磁层和位于它们之间的阻挡层的多层结构，其中至少一个铁磁层至少具有与阻挡层接触的部分成为无定形的部分，阻挡层是具有单个 晶体结构。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |