基本信息:
- 专利标题： Circuit module
- 专利标题（中）：Schaltkreismodul
- 申请号：EP06251576.2 申请日：2006-03-23
- 公开(公告)号：EP1826817A1 公开(公告)日：2007-08-29
- 发明人： Shimura, Toshihiro c/o Fujitsu Limited , Ohashi, Yoji c/o Fujitsu Limited , Nunokawa, Mitsuji c/o Eudyna Devices Inc.
- 申请人： FUJITSU LIMITED , Eudyna Devices Inc.
- 申请人地址： 1-1 Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku Kawasaki-shi Kanagawa-ken JP
- 专利权人： FUJITSU LIMITED,Eudyna Devices Inc.
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED,Eudyna Devices Inc.
- 当前专利权人地址： 1-1 Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku Kawasaki-shi Kanagawa-ken JP
- 代理机构： Stebbing, Timothy Charles
- 优先权： JP2005357228 20051212
- 主分类号： H01L23/552
- IPC分类号： H01L23/552 ; H01L23/66
摘要：
In a high-frequency circuit module, a resistance film (7a) is formed on a side of a semiconductor circuit chip (6), mounted above a dielectric substrate (1) through a ground metal layer (4), facing the dielectric substrate. A distance from the ground metal layer (2) to the resistance film (7) is a 1/4 wavelength at a predetermined frequency, and the resistance film has a sheet resistance equal to a characteristic impedance of air. A second dielectric substrate (12) with a metal layer (13) formed on a side opposite to the resistance film (7a) can be mounted. When being adhered to the second dielectric substrate (12), the resistance film (7a) has a characteristic impedance determined by a permittivity of a material of the semiconductor circuit chip (6). When it is formed spaced apart from the semiconductor circuit chip, the resistance film has a sheet resistance equal to a characteristic impedance of air. The thickness of the second dielectric substrate is a 1/4 wavelength in a desired frequency.
摘要（中）：
在高频电路模块中，电阻膜（7a）形成在半导体电路芯片（6）的一侧，通过接地金属层（4）安装在电介质基片（1）的上方，面对电介质基片。 距接地金属层（2）至电阻膜（7）的距离为预定频率的1/4波长，电阻膜具有与空气的特性阻抗相等的薄层电阻。 可以安装具有形成在与电阻膜（7a）相对的一侧上的金属层（13）的第二电介质基板（12）。 当粘附到第二电介质基板（12）时，电阻膜（7a）具有由半导体电路芯片（6）的材料的介电常数确定的特性阻抗。 当其形成为与半导体电路芯片间隔开时，电阻膜具有等于空气的特性阻抗的薄层电阻。 第二电介质基板的厚度为期望频率的1/4波长。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/552 | .防辐射保护装置，例如光 |