基本信息:
- 专利标题： Magnetic memory
- 专利标题（中）：磁记忆
- 申请号：EP06113049.8 申请日：2006-04-25
- 公开(公告)号：EP1796101A2 公开(公告)日：2007-06-13
- 发明人： Haratani, Susumu
- 申请人： TDK Corporation
- 申请人地址： 13-1, Nihonbashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 103-8272 JP
- 专利权人： TDK Corporation
- 当前专利权人： TDK Corporation
- 当前专利权人地址： 13-1, Nihonbashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 103-8272 JP
- 代理机构： TBK-Patent
- 优先权： JP2005357655 20051212
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16
摘要：
A magnetic memory (1) having a wire (5) extended in a direction of arbitrary decision, an electro-resistivity effect element (4) disposed adjacently to the wire (5), and a counterelement side yoke (20B) disposed adjacently on the side opposite the magneto-resistivity effect element (4) in the wire (5) and having the thickness of the counterelement side yoke (20B) so set as to be larger than 50 nm and smaller than 150 nm. Owing to conformity with this invention, this magnetic memory is enabled to homogenize the magnetization property during the course of writing operation and perform the writing work with a low electric current.
摘要（中）：
1，一种磁存储器，具有在任意决定的方向上延伸的导线（5），与电线（5）相邻地设置的电阻效应元件（4），以及相邻地设置在所述导线上的反元件侧轭（20B） （5）中的磁阻效应元件（4）的相反侧，并且反元件侧磁轭（20B）的厚度设定为大于50nm且小于150nm。 由于符合本发明，该磁存储器能够在写操作过程中使磁化特性均匀化，并以低电流进行写操作。
公开/授权文献:
- EP1796101A3 Magnetic memory 公开/授权日：2007-07-04
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/16 | ..应用磁自旋效应的存储元件的 |