EP1706898B1 TEMPERATURE CONTROLLED HOT EDGE RING ASSEMBLY FOR REDUCING PLASMA REACTOR ETCH RATE DRIFT
有权
转让
基本信息:
- 专利标题： TEMPERATURE CONTROLLED HOT EDGE RING ASSEMBLY FOR REDUCING PLASMA REACTOR ETCH RATE DRIFT
- 专利标题（中）：用于降低等离子体反应器蚀刻速率漂移的温度控制热边缘环组装
- 申请号：EP04818010.3 申请日：2004-12-10
- 公开(公告)号：EP1706898B1 公开(公告)日：2017-09-20
- 发明人： FISCHER, Andreas , LOEWENHARDT, Peter
- 申请人： LAM RESEARCH CORPORATION
- 申请人地址： 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538 US
- 专利权人： LAM RESEARCH CORPORATION
- 当前专利权人： LAM RESEARCH CORPORATION
- 当前专利权人地址： LAM RESEARCH CORPORATION
- 代理机构： Kontrus, Gerhard
- 优先权： US736666 20031217
- 国际公布： WO2005059962 20050630
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/687 ; H01J37/32
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |