
基本信息:
- 专利标题: Semiconductor device having copper wiring and its manufacturing method
- 申请号:EP05254190.1 申请日:2005-07-04
- 公开(公告)号:EP1617469B1 公开(公告)日:2019-04-17
- 发明人: Koura, Yumiko c/o FUJITSU LIMITED , Kitada, Hideki c/o FUJITSU LIMITED
- 申请人: Fujitsu Semiconductor Limited
- 申请人地址: 2-100-45 Shin-Yokohama Kohoku-ku Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 JP
- 专利权人: Fujitsu Semiconductor Limited
- 当前专利权人: Fujitsu Semiconductor Limited
- 当前专利权人地址: 2-100-45 Shin-Yokohama Kohoku-ku Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 JP
- 代理机构: Haseltine Lake LLP
- 优先权: JP2004207251 20040714
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L21/288 ; H01L23/532
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |