基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device having copper wiring and its manufacturing method
- 专利标题（中）：Halftitervorrichtung mit Kupferverdrahtung，und Verfahren zu deren Herstellung
- 申请号：EP05254190.1 申请日：2005-07-04
- 公开(公告)号：EP1617469A3 公开(公告)日：2011-03-16
- 发明人： Koura, Yumiko c/o FUJITSU LIMITED , Kitada, Hideki c/o FUJITSU LIMITED
- 申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 申请人地址： 2-10-23 Shin-Yokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 JP
- 专利权人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 当前专利权人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 当前专利权人地址： 2-10-23 Shin-Yokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 JP
- 代理机构： Stebbing, Timothy Charles
- 优先权： JP2004207251 20040714
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/288 ; H01L23/532
摘要：
A first interlayer insulating film (10) made of insulating material is formed over an underlying substrate (1). A via hole is formed through the first interlayer insulating film. A conductive plug (13) made of copper or alloy mainly consisting of copper is filled in the via hole. A second interlayer insulating film (15) made of insulating material is formed over the first interlayer insulating film (10). A wiring groove is formed in the second interlayer insulating film (15), passing over the conductive plug and exposing the upper surface of the conductive plug. A wiring (17) made of copper or alloy mainly consisting of copper is filled in the wiring groove. The total atomic concentration of carbon, oxygen, nitrogen, sulfur and chlorine in the conductive plug is lower than the total atomic concentration of carbon, oxygen, nitrogen, sulfur and chlorine in the wiring.
摘要（中）：
在下面的衬底（1）上形成由绝缘材料制成的第一层间绝缘膜（10）。 通过第一层间绝缘膜形成通孔。 由铜或主要由铜组成的合金制成的导电插塞（13）填充在通孔中。 由绝缘材料制成的第二层间绝缘膜（15）形成在第一层间绝缘膜（10）上。 在第二层间绝缘膜（15）中形成布线槽，穿过导电塞并暴露导电塞的上表面。 由铜或合金主要由铜构成的布线（17）填充在布线槽中。 导电插塞中碳，氧，氮，硫和氯的总原子浓度低于布线中碳，氧，氮，硫和氯的总原子浓度。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |