基本信息:
- 专利标题： METHOD OF POLISHING A SILICON-CONTAINING DIELECTRIC
- 申请号：EP04707432.3 申请日：2004-02-02
- 公开(公告)号：EP1601735B1 公开(公告)日：2019-09-11
- 发明人： CARTER, Phillip, W., c/o Cabot Microelectr. Corp. , JOHNS, Timothy, P., c/o Cabot Microelectr. Corp,
- 申请人： Cabot Microelectronics Corporation
- 申请人地址： 870 N. Commons Drive Aurora, IL 60504 US
- 专利权人： Cabot Microelectronics Corporation
- 当前专利权人： CMC MATERIALS, INC., AURORA, US
- 当前专利权人地址： CMC MATERIALS, INC., AURORA, US
- 代理机构： Barker Brettell LLP
- 优先权： US356970 20030203
- 国际公布： WO2004069947 20040819
- 主分类号： C09G1/02
- IPC分类号： C09G1/02 ; C09K3/14 ; H01L21/304 ; H01L21/306 ; H01L21/3105 ; C03C19/00
公开/授权文献:
- EP1601735A1 METHOD OF POLISHING A SILICON-CONTAINING DIELECTRIC 公开/授权日：2005-12-07
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09G | 虫胶清漆除外的抛光组合物；滑雪屐蜡 |
| ------C09G1/00 | 抛光组合物 |
| --------C09G1/02 | .含有磨料或研磨剂 |