EP1496548B1 Method for manufacturing differential isolation structures in a semiconductor electronic device and corresponding structure
有权
转让
基本信息:
- 专利标题： Method for manufacturing differential isolation structures in a semiconductor electronic device and corresponding structure
- 专利标题（中）：一种用于在半导体器件和相应的结构，生产不同的隔离结构的工艺
- 申请号：EP03425459.9 申请日：2003-07-11
- 公开(公告)号：EP1496548B1 公开(公告)日：2008-01-02
- 发明人： Brazzelli, Daniela , Baldi, Livio , Servalli, Giorgio
- 申请人： STMicroelectronics S.r.l.
- 申请人地址： Via C. Olivetti, 2 20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 专利权人： STMicroelectronics S.r.l.
- 当前专利权人： MICRON TECHNOLOGY, INC., BOISE, US
- 当前专利权人地址： MICRON TECHNOLOGY, INC., BOISE, US
- 代理机构： Ferrari, Barbara
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |