发明公开
EP1246253A3 MFMOS transistor memory structures with high dielectric constant materials and a method of making the same
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： MFMOS transistor memory structures with high dielectric constant materials and a method of making the same
- 专利标题（中）：MFMOS存储器具有高介电常数的材料的晶体管结构，并且这种效果的制造方法
- 申请号：EP02006896.1 申请日：2002-03-26
- 公开(公告)号：EP1246253A3 公开(公告)日：2004-10-13
- 发明人： Li, Tingkai , Hsu, Sheng Teng , Ying, Hong , Ulrich, Bruce Dale , Ma, Yanjun
- 申请人： Sharp Kabushiki Kaisha
- 申请人地址： 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 JP
- 专利权人： Sharp Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Sharp Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 JP
- 代理机构： Müller - Hoffmann & Partner
- 优先权： US819879 20010327
- 主分类号： H01L29/51
- IPC分类号： H01L29/51 ; H01L21/28
摘要：
A MFMOS one transistor memory structure for ferroelectric non-volatile memory devices includes a high dielectric constant material such as ZrO 2 , HfO 2 , Y 2 O 3 , or La 2 O 3 , or the like, or mixtures thereof, to reduce the operation voltage and to increase the memory window and reliability of the device.
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/49 | ...金属绝缘体半导体电极 |
| --------------H01L29/51 | ....与其相关的绝缘材料 |