基本信息:
- 专利标题： Semiconductor element and semiconductor memory device using the same
- 专利标题（中）：半导体器件和半导体存储器件
- 申请号：EP94112656.7 申请日：1994-08-12
- 公开(公告)号：EP0642173B1 公开(公告)日：1999-07-14
- 发明人： Yano, Kazuo , Ishii, Tomoyuki , Hashimoto, Takashi , Seki, Koichi , Aoki, Masakazu , Sakata, Takeshi, La Kabina De Amichi 301 , Nakagome, Yoshinobu , Takeuchi, Kan
- 申请人： Hitachi, Ltd.
- 申请人地址： 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101 JP
- 专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址： 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101 JP
- 代理机构： Strehl Schübel-Hopf & Partner
- 优先权： JP20492293 19930819; JP29163893 19931122
- 主分类号： H01L29/792
- IPC分类号： H01L29/792 ; G11C11/401 ; G11C16/02
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/792 | ......带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管 |