基本信息:
- 专利标题： Semiconductor element and semiconductor memory device using the same
- 专利标题（中）：Halbleiterbauelement und Halbleiterspeichervorrichtung。
- 申请号：EP94112656.7 申请日：1994-08-12
- 公开(公告)号：EP0642173A1 公开(公告)日：1995-03-08
- 发明人： Yano, Kazuo , Ishii, Tomoyuki , Hashimoto, Takashi , Seki, Koichi , Aoki, Masakazu , Sakata, Takeshi, La Kabina De Amichi 301 , Nakagome, Yoshinobu , Takeuchi, Kan
- 申请人： HITACHI, LTD.
- 申请人地址： 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101 JP
- 专利权人： HITACHI, LTD.
- 当前专利权人： HITACHI, LTD.
- 当前专利权人地址： 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101 JP
- 代理机构： Strehl Schübel-Hopf Groening & Partner
- 优先权： JP204922/93 19930819; JP291638/93 19931122
- 主分类号： H01L29/792
- IPC分类号： H01L29/792 ; G11C11/401 ; G11C16/02
摘要：
A field-effect semiconductor element implemented with a fewer number of elements and a reduced area and capable of storing data by itself without need for cooling at a cryogenic temperature, and a memory device employing the same. Gate-channel capacitance (C gc ) is set so small that whether or not a trap (7) captures one electron or hole can definitely and distinctively be detected in terms of changes of a current of the semiconductor FET element. By detecting a change in a threshold voltage of the semiconductor element brought about by trapping of electron or hole in the trap, data storage can be realized at a room temperature.
摘要（中）：
一种场效应半导体元件，其具有较少数量的元件和减小的面积并且能够自身存储数据，而不需要在低温下进行冷却;以及采用该半导体元件的存储器件。 栅极沟道电容（Cgc）被设定得很小，以致捕获器（7）捕获一个电子或空穴是否可以根据半导体FET元件的电流的变化来明确且明显地被检测。 通过检测通过在阱中捕获电子或空穴而导致的半导体元件的阈值电压的变化，可以在室温下实现数据存储。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/792 | ......带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管 |